B284L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
**产品简介：**
B284L-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，封装为 TO263，设计用于中高电压和高电流应用。该 MOSFET 提供 80V 的漏源电压（VDS）和 120A 的最大漏极电流（ID），在 VGS 为 4.5V 和 10V 时，其导通电阻（RDS(on)）分别为 10mΩ 和 6mΩ。采用 Trench 技术，这款 MOSFET 具有极低的导通阻抗和优良的开关特性，非常适合高功率密度和高效率的电子电路设计。
**详细参数说明：**
- **型号**: B284L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单管 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 80V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 10mΩ（VGS=4.5V 时）
- 6mΩ（VGS=10V 时）
- **最大漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench
**应用领域和模块示例：**
1. **高功率开关电源 (High-Power Switching Power Supplies)**: 由于其低导通电阻和高电流能力，B284L-VB 适用于高功率开关电源，能显著提高系统的转换效率，并减少热量散发。
2. **电动汽车 (Electric Vehicles)**: 在电动汽车的电池管理系统和动力控制模块中，这款 MOSFET 能处理高电流负载，提供高效的性能和稳定性。
3. **工业设备 (Industrial Equipment)**: 适用于工业电机驱动和高功率开关应用，能够提供可靠的开关性能和高电流承载能力，提升系统整体性能。
4. **电源管理系统 (Power Management Systems)**: B284L-VB 在电源管理系统中表现优异，低 RDS(on) 能提高系统的能效，减少功率损耗和热量。
