AP03N70H-H-HF-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-09
### AP03N70H-H-HF-VB 产品简介
**型号：** AP03N70H-H-HF-VB
**封装：** TO252
**配置：** 单N沟道MOSFET
**技术：** SJ_Multi-EPI
AP03N70H-H-HF-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有700V的漏极-源极电压承受能力和较低的导通电阻，适用于需要高压和稳定性能的应用场合。
### 详细参数说明
- **漏极-源极电压（VDS）：** 700V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 2400mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 2A
- **技术：** SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理模块：** 在各类电源管理模块中，AP03N70H-H-HF-VB 可作为开关器件，用于高压电源的控制和转换，确保电能的高效传输和稳定输出。
2. **工业自动化系统：** 在工业自动化控制系统中，AP03N70H-H-HF-VB 可用于高压电源开关和功率控制模块，提升设备的稳定性和可靠性。
3. **电动汽车充电设备：** 作为电动汽车充电桩中的关键部件，AP03N70H-H-HF-VB 能够在高压条件下实现电能的安全转换和高效传输。
4. **太阳能逆变器：** 在太阳能发电系统的逆变器中，AP03N70H-H-HF-VB 可用于高压直流到交流的电能转换过程，提升太阳能系统的能量转换效率。
5. **电力电子设备：** 适用于各类需要高压开关和稳定性能的电力电子设备，如UPS（不间断电源）、变频器等，确保设备的高效运行和长期稳定性。
AP03N70H-H-HF-VB MOSFET因其高压承受能力和低导通电阻，适用于需要稳定和高效能量转换的各种高压应用场合，为工业和电力电子领域提供可靠的解决方案。
