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AP75T10GP-HF-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2024-12-19
### 产品简介：
AP75T10GP-HF-VB是一款单通道N沟道功率MOSFET，采用沟道技术制造，适用于高性能功率开关应用。其主要特性包括100V的漏极-源极电压（VDS），20V的门极-源极电压（VGS），以及非常低的导通电阻（RDS(ON)）。
### 参数说明：
- **型号：** AP75T10GP-HF-VB
- **封装：** TO220
- **配置：** 单通道N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 100V
- **VGS（门极-源极电压）：** ±20V
- **门极阈值电压（Vth）：** 1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 17mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 70A
- **技术：** 沟道技术（Trench）
### 应用领域示例：
1. **电源转换器：** AP75T10GP-HF-VB适用于高效能的电源转换器设计，能够在低电压和高电流条件下提供可靠的性能。
2. **电机驱动：** 由于其低导通电阻和高漏极电流能力，该型号适合用作电机驱动器的功率开关，帮助实现高效能和低热耗的驱动方案。
3. **电动工具：** 在需要高功率密度和可靠性的电动工具中，AP75T10GP-HF-VB可以作为关键的功率开关元件，支持设备的长时间使用和高性能输出。
4. **电动车充电器：** 作为电动车充电器中的主要功率开关，该器件可以确保充电效率高和设备寿命长。
通过这些示例，可以看出AP75T10GP-HF-VB适用于需要高性能、高效能和可靠性的各种功率控制应用中。
