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AP18T10GH-VB一种TO252封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-12
### 产品简介
AP18T10GH-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，封装为TO252。它具备高电压承受能力和低导通电阻，适用于中功率和中电压应用。
### 详细参数说明
- **型号**: AP18T10GH-VB
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 100V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术类型**: 沟槽
### 应用领域和模块
AP18T10GH-VB MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛应用：
1. **电源转换器**: 适用于DC-DC转换器、电源逆变器和开关电源模块。其低导通电阻和高电流承受能力使其特别适合于需要高效能量转换的电子设备。
2. **电动车辆**: 在电动汽车和电动自行车的电池管理系统中，AP18T10GH-VB 可用于电池充放电控制和电动机驱动。
3. **工业控制**: 在工业自动化设备、机器人控制系统和电机驱动器中，用作开关和功率管理元件。
4. **LED驱动器**: 用于高功率LED照明系统中的电流控制和功率开关，确保LED驱动的稳定性和效率。
这些示例显示了AP18T10GH-VB MOSFET 在中功率、中电压应用中的重要性和多样化应用，为各种电子和工业设备提供了可靠的功率控制解决方案。
