B6NK60Z-VB TO263一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-07
### 一、产品简介
B6NK60Z-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET，采用TO263封装，专为高电压和高功率应用设计。此MOSFET 采用Plannar技术，具有较高的漏极-源极电压承受能力，适用于需要高耐压和中等电流处理能力的电子系统。
### 二、详细的参数说明
| 参数 | 数值 |
|-----------------|-----------------|
| **封装类型** | TO263 |
| **配置** | 单N沟道 |
| **漏极-源极电压 (VDS)** | 650V |
| **栅极-源极电压 (VGS)** | ±30V |
| **阈值电压 (Vth)** | 3.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ @ VGS=10V |
| **连续漏极电流 (ID)** | 10A |
| **技术** | Plannar |
### 三、应用领域和模块举例
1. **高压电源开关**
B6NK60Z-VB 在高压电源开关中表现优异，能够处理高达650V的漏极-源极电压，适合用作开关元件或保护电路的关键部件，确保高压电源系统的可靠性和安全性。
2. **逆变器**
在逆变器应用中，尤其是用于转换高电压直流电源为交流电的系统，B6NK60Z-VB 的高电压耐受能力和稳定的导通特性使其成为理想选择，提升系统的转换效率和稳定性。
3. **照明控制**
在高压照明控制系统，如高压荧光灯和LED灯驱动电路中，B6NK60Z-VB 可以有效处理高电压和高功率需求，保证照明系统的稳定工作和长寿命。
4. **电机驱动**
在一些高电压电机驱动应用中，B6NK60Z-VB 能够提供必要的电流处理能力和高电压耐受能力，确保电机的可靠启动和运行。
B6NK60Z-VB 以其高电压耐受和中等电流处理能力，适用于各种高压和高功率的电子应用领域。
