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AP2761I-H-HF-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-12
### 产品简介
AP2761I-H-HF-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。它具有极高的漏源电压（VDS）达到700V，适用于需要高电压承受能力的应用场合。该型号的MOSFET在高压环境下表现出色，是电源管理和高压开关应用的理想选择。
### 详细参数说明
- **封装形式**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：700V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：5A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理模块**：
AP2761I-H-HF-VB适用于需要高压稳定输出的电源管理模块。其高漏源电压和低导通电阻特性使其能够在工业控制设备、电网电源逆变器等高压电源管理系统中发挥重要作用，确保系统稳定运行和能效优化。
2. **高压开关**：
在高压开关应用中，比如高压直流开关电源和逆变器，AP2761I-H-HF-VB能够有效地控制和管理电流开关。其高漏源电压和稳定的性能特征使其在医疗设备、工业自动化和电动车充电桩等领域中得到广泛应用。
3. **电动车充电桩**：
作为电动车充电桩的关键组件，AP2761I-H-HF-VB能够处理高压直流输入并有效地转换为适合电动车充电的电流和电压。其稳定性和可靠性保证了充电桩在各种环境条件下的安全运行，同时提高了充电效率。
通过以上例子，可以看出AP2761I-H-HF-VB在高压环境下的稳定性和高效性能，使其成为各种需要高压、高功率管理的应用中的理想选择。
