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B15S65L-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
### 产品简介
**B15S65L-VB** 是一款高压单极性N通道场效应晶体管，封装形式为TO263。这款MOSFET采用SJ_Multi-EPI技术，能够处理高达650V的漏源电压，适用于高电压和高功率应用。其设计目标是提供高效的开关性能和稳定的操作，特别是在需要高耐压和高电流能力的场合。
### 详细参数说明
- **型号**: B15S65L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极N通道
- **漏源电压 (V_DS)**: 650V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±30V
- **阈值电压 (V_th)**: 3.5V
- **导通电阻 (R_DS(on))**: 300mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏电流 (I_D)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块
1. **电源供应**：在高压电源供应系统中，B15S65L-VB能够处理高达650V的电压，适合用于电源开关和功率转换器，提供高效的开关性能和稳定的电压输出。
2. **逆变器**：适用于太阳能逆变器和其他高电压逆变器系统中，通过其高电压耐受能力和稳定的开关特性，支持高效能的能量转换和管理。
3. **工业设备**：在工业自动化和控制系统中，这款MOSFET能够处理高电压和高功率负载，用于电机驱动和控制系统，确保设备的可靠性和稳定运行。
4. **高压开关**：在高压开关应用中，B15S65L-VB作为开关元件使用，能够处理大电流和高电压负载，确保开关操作的安全性和高效性。
