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BSC046N02KS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**型号**: BSC046N02KS G-VB
**封装**: DFN8 (5x6)
**配置**: 单N沟道MOSFET
**技术**: 沟槽型技术
### 详细参数说明
- **VDS**: 30V (漏源极电压)
- **VGS**: ±20V (栅源极电压)
- **Vth**: 1.7V (栅源极阈值电压)
- **RDS(ON)**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **ID**: 160A (漏极电流)
### 应用领域和模块
1. **高功率开关**: 适用于高电流和高功率的电源开关应用，如电源管理系统和DC-DC转换器。
2. **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理和电机驱动系统中，用于高效的电流控制和负载开关。
3. **数据中心**: 用于数据中心的电源供应系统，提供高效的电流开关和散热管理。
4. **工业电源**: 适用于工业设备的电源管理，实现高效和可靠的电流开关。
