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BSZ050N03LS G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
**产品简介：**
BSZ050N03LS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(3x3)，专为中低电压高电流应用设计。该 MOSFET 的 VDS（漏极-源极最大电压）为 30V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 达到 60A。其导通电阻 RDS(ON) 为 5mΩ（在 VGS=4.5V 时）和 3.9mΩ（在 VGS=10V 时），采用沟槽型工艺技术，适合用于高电流开关应用，具有出色的开关性能和热管理能力。
**详细参数说明：**
- **封装**: DFN8(3x3)
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 30V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 5mΩ @ VGS = 4.5V；3.9mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 60A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **电源开关**：在高电流电源开关应用中，BSZ050N03LS G-VB 的低 RDS(ON) 和高电流承受能力使其成为高效能电源开关的理想选择，适用于电源模块和功率转换器。
2. **电动汽车**：适合用于电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块中，其高电流能力可以满足电动汽车中对开关器件的严格要求。
3. **工业控制**：在工业设备中，BSZ050N03LS G-VB 可用于负载开关和电机驱动，提供高效的开关控制，确保设备的稳定运行。
