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KF5N50DS-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-02-21
型号: KF5N50DS-VB
丝印: VBE165R05S
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 650V
- 最大电流: 5A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 950mΩ @ 10V
- 门源电压 (Vgs): ±30V
- 阈值电压 (Vth): 3.5V
- 封装: TO252
应用简介:
KF5N50DS-VB是一种高压N沟道场效应晶体管 (FET)，适用于需要高电压和中等电流的应用，具有以下主要应用：
1. **电源开关：** KF5N50DS-VB可用作高压电源开关，用于控制电路中的电流流动。其高电压容忍能力使其适用于高压电源开关电路。
2. **电源逆变器：** 在高电压逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、电力电子变频器等领域。
3. **电源管理：** 在高压电源管理模块中，KF5N50DS-VB可以帮助控制电源的开关和稳定输出电压，适用于各种电源管理应用。
4. **高压电流控制：** 可以用于需要高电压和中等电流的电流控制电路，例如高压电流源。
5. **照明驱动：** 在高压LED照明驱动电路中，KF5N50DS-VB可以用于控制LED的亮度和稳定电流。
这些应用领域涵盖了各种需要高电压的电子设备和模块，KF5N50DS-VB的高压容忍能力和中等电流特性使其成为用于高压电源管理和控制的理想元件。它可以在各种高压电路中实现高效率和可靠性。
