BSC016N03LS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC016N03LS G-VB** 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用 DFN8(5x6) 封装，专为低电压和高电流应用设计。该器件具备极低的 RDS(ON)（1.8mΩ @ VGS=10V），可在高电流（160A）下有效减少功耗，适用于高性能开关电源和功率转换器。其阈值电压为 1.7V，并且具有 ±20V 的栅极-源极耐压，确保在复杂应用环境下稳定工作。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC016N03LS G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 160A
- **技术**: 沟道工艺 (Trench)
### 应用领域和模块
**BSC016N03LS G-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **高效电源管理**：其低 RDS(ON) 和高电流处理能力使其非常适合用于高效开关电源和 DC-DC 转换器，提高能效和减少热量。
2. **电机控制**：在电机驱动电路中提供高电流开关能力，适用于各种电动工具和家用电器。
3. **汽车电子**：用于汽车电源管理和负载开关，能够处理高电流并提高系统稳定性。
4. **电池管理系统**：在电池充放电管理中，用于高电流开关，优化电池性能和延长使用寿命。
5. **数据中心电源**：在数据中心电源模块中，减少功耗和提高效率，满足高性能计算需求。
