AFP4925WS8RG-VB一种Dual-P+P沟道SOP8封装MOS管
2024-11-28
### 产品简介
AFP4925WS8RG-VB是一款双P沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装为SOP8。它具有负向漏源电压（VDS）为-30V，适合于负电压操作的应用场合。
### 详细参数说明
- **封装形式（Package）**: SOP8
- **配置（Configuration）**: 双P沟道（Dual-P+P-Channel）
- **漏源电压（VDS）**: -30V
- **栅源电压（VGS）**: ±12V
- **阈值电压（Vth）**: -1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- 21mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: -8A
- **技术（Technology）**: Trench
### 适用领域和模块
AFP4925WS8RG-VB适用于以下领域和模块，特别是在需要负向漏源电压操作的应用中：
1. **电源管理**：
- 在负电压电源管理电路中，AFP4925WS8RG-VB可以用作负电源开关，控制电流的通断，例如在电池供电系统中对电池的保护和管理。
2. **信号处理**：
- 在负电平信号处理电路中，AFP4925WS8RG-VB用于信号的放大和控制，确保信号的稳定性和准确性，例如在音频信号处理中的前置放大器电路。
3. **电源逆变**：
- 在需要将正向电源逆变为负向电压输出的场合，AFP4925WS8RG-VB可以控制逆变开关管，实现电源逆变功能，例如在直流-交流逆变器中的控制单元。
4. **仪器仪表**：
- 在需要负向电压供电的仪器仪表中，AFP4925WS8RG-VB用于电源开关和负载控制，例如在测试设备和精密仪器中的电源管理模块。
AFP4925WS8RG-VB由于其负向漏源电压特性和SOP8封装，适合于各种需要负电压操作的电子电路应用，提供了灵活和可靠的解决方案。
