AO5600E-VB一种Dual-N+P沟道SC75-6封装MOS管
2024-12-03
### AO5600E-VB 产品简介
AO5600E-VB 是一款双N+P沟道 MOSFET，采用SC75-6封装。该型号器件在小尺寸封装中结合了双沟道的优势，适合低功耗和小型化电路设计。
### AO5600E-VB 详细参数说明
- **封装类型**：SC75-6
- **器件配置**：双N+P沟道
- **漏源电压 (VDS)**：±20V
- **栅源电压 (VGS)**：12V（最大）
- **阈值电压 (Vth)**：1.0V / -1.2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 410mΩ / 840mΩ @ VGS=2.5V
- 270mΩ / 660mΩ @ VGS=4.5V
- **漏极电流 (ID)**：
- 0.6A (正极性)
- -0.3A (负极性)
- **技术类型**：Trench
### 应用领域和模块示例
AO5600E-VB 适用于多种低功耗和小型化电路设计，特别适合以下领域和模块：
1. **移动设备**：在智能手机、平板电脑和便携式消费电子设备中，AO5600E-VB 的小型封装和低功耗特性使其成为电池管理和功率开关的理想选择，有助于延长电池续航时间。
2. **便携式医疗设备**：在便携式医疗设备和健康监测器材中，AO5600E-VB 可以用作电池管理和低功耗电路的关键部件，确保设备的稳定运行和长时间使用。
3. **工业传感器**：在需要小型化和低功耗的工业传感器和控制器中，AO5600E-VB 可以实现电源管理和信号处理的高效能耗，提升系统的可靠性和节能效果。
4. **可穿戴设备**：在智能手表、健康监测器和其他可穿戴技术中，AO5600E-VB 的小型封装和低功耗特性有助于优化设备的设计，提升用户体验和可携性。
综上所述，AO5600E-VB 是一款适用于小型化和低功耗电路设计的双N+P沟道 MOSFET，广泛应用于移动设备、便携式医疗设备、工业传感器和可穿戴技术等领域。
