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BSD840N-VB一种Dual-N+N沟道SC70-6封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSD840N-VB** 是一款双N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为SC70-6。该MOSFET设计用于低电压应用，具有20V的漏源电压（VDS）和最大12V的栅源电压（VGS）。其低导通电阻和宽阈值电压范围使其适合在各种低电压、高开关频率的电路中使用，提供高效的开关性能和良好的电流控制能力。
### 参数说明
- **型号**: BSD840N-VB
- **封装**: SC70-6
- **配置**: 双N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 20V
- **栅源电压（VGS）**: ±12V
- **阈值电压（Vth）**: 0.5~1.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 110mΩ @ VGS = 2.5V
- 86mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流（ID）**: 2.6A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**BSD840N-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **低电压电源管理**: 用于20V电源转换器和电源管理模块，提供高效能和低功率损耗的开关控制。
2. **开关电路**: 适用于低电压开关电路，如小型开关电源和负载开关，提供稳定的开关性能和较低的导通电阻。
3. **信号处理**: 在信号处理电路中使用，能够提供可靠的开关和控制功能，适合用于低功率应用。
4. **便携式设备**: 适合用于便携式电子设备和小型电路板中，优化空间利用和电流管理，提升设备的整体性能。
该MOSFET的低电压和高开关频率特性使其在各种低功率和便携式应用中表现出色。
