BUK653R4-40C-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-15
### 一、BUK653R4-40C-VB产品简介
BUK653R4-40C-VB是一款高性能N沟道MOSFET，封装为TO220，采用先进的Trench技术。此MOSFET设计用于高电流、高效能应用，具有40V的耐压和20V的门极源极电压最大值。其阈值电压为2.5V，导通电阻在4.5V栅极驱动下为7mΩ，在10V栅极驱动下为6mΩ，能够承受高达110A的最大漏极电流。BUK653R4-40C-VB的高电流处理能力和低导通电阻使其成为高效能开关和功率管理应用中的理想选择。
### 二、BUK653R4-40C-VB详细参数说明
- **型号**：BUK653R4-40C-VB
- **封装**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **耐压VDS**：40V
- **门极源极电压VGS**：20V（±）
- **阈值电压Vth**：2.5V
- **导通电阻RDS(ON)**：
- 7mΩ @ VGS=4.5V
- 6mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流ID**：110A
- **技术**：Trench
### 三、应用领域和模块示例
BUK653R4-40C-VB在多个领域和模块中表现优异，适用于以下应用：
1. **高效电源开关**：由于其低导通电阻和高电流能力，BUK653R4-40C-VB非常适合用于高效电源开关，如DC-DC转换器和开关电源。其高效能和低功率损耗特性可以显著提升电源管理系统的效率。
2. **电动汽车**：在电动汽车应用中，BUK653R4-40C-VB能够为电动机提供可靠的开关控制。其高电流承载能力和低导通电阻确保电动汽车在高负载情况下的稳定运行和高效能。
3. **工业电机控制**：BUK653R4-40C-VB适用于工业电机控制系统，能够稳定地控制大功率电机的启停和速度。其高电流处理能力使其能够应对严苛的工业环境和负载要求。
4. **电源管理系统**：在各种电源管理系统中，包括电池管理和电源分配系统，BUK653R4-40C-VB的高电流能力和低导通电阻保证了系统的高效运行和稳定性。
这些应用实例展示了BUK653R4-40C-VB在高电流、低电压开关和功率管理系统中的广泛适用性，成为高效能电子设备和控制系统的理想选择。
