BUK662R5-30C-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-15
## BUK662R5-30C-VB MOSFET 产品简介
**BUK662R5-30C-VB** 是一款高性能单极 N 通道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 TO263。该 MOSFET 设计用于处理中等电压应用，具有极低的导通电阻和高电流承载能力。这使其在高功率和高效率的电子系统中表现卓越，特别是在需要高开关速度和低功耗的应用场合。
## 详细参数说明
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 3.2mΩ @ VGS = 4.5V
- 2.3mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 150A
- **技术**: Trench 技术
## 适用领域与模块举例
**BUK662R5-30C-VB** 主要适用于以下领域和模块：
1. **高效电源管理**：由于其超低的导通电阻（2.3mΩ @ VGS = 10V）和高电流能力（150A），BUK662R5-30C-VB 非常适合用于高效的电源管理系统，包括 DC-DC 转换器和电源供应器。它能够显著降低功耗，提升系统的整体效率和稳定性。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电源系统中，该 MOSFET 可以用于电池管理系统（BMS）和电动驱动系统。其高电流处理能力和低导通电阻有助于提高电池和驱动系统的效率和安全性。
3. **工业应用**：在工业电源和控制系统中，这款 MOSFET 可以用于高功率开关应用，如电机驱动器和高功率开关电源。其高电流容量和低导通电阻确保在高负载条件下的稳定和高效运行。
4. **消费电子产品**：在消费电子产品如计算机、笔记本电脑和电视机的电源管理模块中，BUK662R5-30C-VB 可以用于控制和优化电源供应，提升产品的能效和性能。
总结来说，BUK662R5-30C-VB MOSFET 的 TO263 封装、低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理、电动汽车、工业应用和消费电子产品中表现出色。其 Trench 技术确保在各种高功率和高效率应用中提供可靠的性能。
