BSC16DN25NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC16DN25NS3 G-VB** 是一款高电压单通道 N 沟道 MOSFET，采用 DFN8(5x6) 封装。它使用了先进的 Trench 技术，专为高电压应用设计。该 MOSFET 的漏源极电压（VDS）高达 250V，适用于高压环境中的应用。最大门源极电压（VGS）为 ±20V，提供了广泛的驱动灵活性。BSC16DN25NS3 G-VB 的导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 10V 时为 42mΩ，具有较低的功耗。它的漏极电流（ID）为 35A，能够满足中等电流负载的需求。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC16DN25NS3 G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 250V
- **门源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 42mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 35A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域和模块举例
1. **高压电源管理**:
BSC16DN25NS3 G-VB 适用于高压电源管理模块，例如高压开关电源和逆变器。其高漏源极电压（VDS）使其能够在高压环境中稳定工作，同时其低导通电阻能够降低功率损耗，提高电源效率。
2. **功率转换器**:
在功率转换器应用中，如高效率的 AC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器，BSC16DN25NS3 G-VB 提供了稳定的开关性能和高功率处理能力。其高电压耐受能力使其适合在高电压和大功率的应用中。
3. **工业电机驱动**:
对于工业电机驱动系统，尤其是在需要高电压驱动的场合，BSC16DN25NS3 G-VB 能够处理较高的电压和电流负载，提供稳定和可靠的电机驱动性能。
4. **汽车电子**:
在汽车电子系统中，特别是涉及高电压的应用（如高压电池管理系统），BSC16DN25NS3 G-VB 能够提供可靠的高电压开关能力，确保系统的安全和高效运行。
这款 MOSFET 的高电压处理能力和稳定性使其在高压电源管理、功率转换和工业驱动系统中表现出色。
