公司动态详情返回动态列表>
MTD3302-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-08
MTD3302详细参数说明：
- 极性：N沟道
- 额定电压：30V
- 额定电流：60A
- 导通电阻：10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 阈值电压：1.6Vth (V)
- 封装类型：TO252
应用简介：
MTD3302是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有30V的较高额定电压和60A的大额定电流，该器件适用于中高功率应用。
通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。
MTD3302采用TO252封装，适用于各种电路板和模块中使用。
该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其较高的额定电压和额定电流，MTD3302特别适用于需要中高功率和高电流传输的应用领域，如电源开关和电机驱动器。
总之，MTD3302是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等各种应用模块中。特别适用于中高功率和高电流传输的领域，如电源开关和电机驱动器。
