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SI1304BDL-T1-GE3-VB一款N沟道SC70-3封装MOSFET应用分析
2024-02-21
型号: SI1304BDL-T1-GE3-VB
丝印: VBK1270
品牌: VBsemi
详细参数说明:
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 20V
- 最大电流: 4A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ @ 2.5V
- 门源电压 (Vgs): ±12V
- 阈值电压 (Vth): 1~3V
- 封装类型: SC70-3
应用简介:
SI1304BDL-T1-GE3-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域：
1. **电源管理**: 这款晶体管可用于电源管理模块，帮助实现电源的高效控制和管理，尤其在便携式设备中。
2. **电流控制**: 由于其高电流承受能力和低导通电阻，它适用于需要电流控制的电子模块，如电机驱动、电池充放电控制等。
3. **信号开关**: SI1304BDL-T1-GE3-VB可用于信号开关电路，适用于数据传输和信号处理模块，如高频应用。
4. **LED照明**: 在LED照明控制模块中，这款晶体管可以用作电流调节器和开关，实现亮度控制和颜色温度调整。
5. **电池保护**: 它还可以用于电池保护模块，确保电池在充电和放电过程中保持安全和稳定。
总之，SI1304BDL-T1-GE3-VB适用于多种电子模块和电路，包括电源管理、电流控制、信号开关、LED照明和电池保护等领域。其N沟道特性、高电流承受能力和低导通电阻使其成为广泛应用的元器件。
