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BRF1N60-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BRF1N60-VB** 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用 TO220F 封装，适用于高电压应用。该器件具有高耐压（650V）、低 RDS(ON)（1700mΩ）和较高的 VGS 操作范围（±30V），使其在高电压和高功率场景下表现出色。它的阈值电压为 3.5V，最大漏极电流为 2A，使用了平面工艺技术，能够提供稳定和可靠的性能。
### 详细参数说明
- **型号**: BRF1N60-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 1700mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 平面工艺 (Plannar)
### 应用领域和模块
**BRF1N60-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **高压开关电源**：其高漏极-源极耐压使其在高电压电源中非常适用，例如电源管理模块和逆变器中。
2. **电机驱动**：用于电机驱动电路中，提供高电压和高电流的开关控制。
3. **照明控制**：在LED照明控制电路中，用于调节和控制大功率灯具。
4. **功率调节模块**：适用于功率调节电路，例如功率转换器和调光器，提供可靠的高压开关能力。
5. **电源保护**：用于保护电源电路，防止过电压或过电流对电路造成损害。
