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AP04N60I-HF-VB一种TO220F封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-10
### 一、产品简介
**AP04N60I-HF-VB** 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。它设计用于处理高达650V的漏极-源极电压（VDS），并支持最大4A的漏极电流（ID）。采用Plannar技术制造，提供在10V栅极-源极电压下的导通电阻为2560mΩ。这款MOSFET适合于需要中等电压和中等电流的应用场合。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 4A
- **技术**: Plannar
### 三、适用领域和模块
**AP04N60I-HF-VB** 在以下领域和模块中具有广泛的应用：
1. **电源适配器**: 在高效率的开关电源适配器中用作开关和调节电路的关键元件，确保稳定的电压输出。
2. **UPS系统**: 用于无间断电源系统中的开关控制，确保在电力中断时提供无缝切换和稳定的电力输出。
3. **工业控制**: 作为工业电气控制系统中的开关元件，用于电机控制、电动工具和自动化设备的功率管理。
4. **电动车充电器**: 在电动车辆充电器中用作开关器件，支持高效的充电和电池管理。
5. **太阳能逆变器**: 用于太阳能发电系统中的逆变器开关，将直流能源转换为交流电，提供给家庭和商业用途的电力系统。
通过这些示例，**AP04N60I-HF-VB** 展示了其在中等电压和电流条件下的稳定性和可靠性，适用于多种工业和电子设备的关键应用。
