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AP13P15GJ-HF-VB一种Single-P沟道TO251封装MOS管
2024-12-10
### 1. 产品简介
AP13P15GJ-HF-VB 是一款单 P-沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用Trench工艺制造。该器件适用于负载开关和功率管理应用，具有高达-200V的漏极-源极电压（VDS）额定值和最大-5A的漏极电流（ID）容量。
### 2. 参数说明
- **型号**: AP13P15GJ-HF-VB
- **封装**: TO251
- **通道类型**: 单 P-沟道
- **VDS (漏极-源极电压)**: -200V
- **VGS (栅极-源极电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: -2.5V
- **RDS(ON) (导通电阻)**:
- 1200mΩ @ VGS = 4.5V
- 1000mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: -5A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
AP13P15GJ-HF-VB 可适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 由于其较高的漏极-源极电压和漏极电流能力，适合用作电源开关，特别是在负载开关和电源管理系统中。
- **汽车电子**: 在汽车电子系统中，可以用于电池管理、电动车辆充电系统以及其他需要处理高电压和电流的应用。
- **工业控制**: 用于工业控制设备中的电源开关和逆变器，以提供高效的功率管理和控制。
- **消费类电子**: 例如电源适配器、笔记本电脑和其他消费类电子设备中的开关电源电路。
这些示例展示了 AP13P15GJ-HF-VB 在多个领域中的灵活应用性，其高电压和电流能力使其成为处理大功率需求的理想选择。
