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APM7313KC-TRL-VB一款2个N沟道SOP8封装MOSFET应用分析
2024-02-21
型号：APM7313KC-TRL-VB
丝印：VBA3328
品牌：VBsemi
参数说明：
- 极性：2个N沟道
- 额定电压：30V
- 最大连续漏极电流：6.8A（上管），6.0A（下管）
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：22mΩ @ 10V，26mΩ @ 4.5V
- 门极-源极电压（Vgs）：20V（±V）
- 開啟電壓（门极阈值电压）：1.73V
- 封装：SOP8
应用简介：
APM7313KC-TRL-VB是一对N沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，常用于电源开关、电流控制和功率放大器等应用中。
应用领域：
1. **电源开关**：APM7313KC-TRL-VB的N沟道MOSFET适用于开关电源、DC-DC转换器和电源模块，可提供高效率的电源管理。
2. **电池管理**：在电池充放电管理系统中，这对MOSFET可用于电池保护、电池均衡和电池组管理，特别适用于便携式设备和电动汽车。
3. **电流控制**：APM7313KC-TRL-VB可用于电流控制回路，如LED驱动、电机控制和电流限制应用。
4. **功率放大器**：这对MOSFET也可用于功率放大器的输出级，用于音频放大、射频应用和放大电路。
5. **电源逆变器**：在需要高效率的电源逆变器中，这对MOSFET可用于电源开关和逆变器控制。
总之，APM7313KC-TRL-VB是一对N沟道MOSFET，适用于多种电源管理、电池管理、电流控制和功率放大应用。它可以用于电源开关、电池保护、LED驱动、音频放大器和电源逆变器等领域模块。
