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深圳市微碧半导体有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | N沟道MOS管 | P沟道MOS管 | NP沟道MOS管 | 双N沟道MOS管 | 双P沟道MOS管
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BS250FTA-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

2024-01-09

BS250FTA.pdf


型号:BS250FTA

丝印:VB264K

品牌:VBsemi

参数:P沟道,-60V,-0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.87Vth(V);SOT23

VB264K.png

该产品具有以下详细参数说明:

- 类型:P沟道功率场效应管

- 最大耐压:-60V

- 最大漏极电流:-0.5A

- 导通时的电阻(RDS(ON)):3000mΩ@10V, 3680mΩ@4.5V

- 栅极电压(Vgs)范围:±20V

- 阈值电压(Vth):-1.87V

- 封装:SOT23


该产品适用于以下领域模块:

- 低功耗应用:BS250FTA可用于低功耗电路模块,如传感器电路和小功率电源控制。

- 电池管理:适用于电池管理模块中的小功率应用,如电池保护电路和充放电控制。

- 照明控制:可用于照明控制模块中,实现对小功率照明设备的驱动和控制。

- 手持设备:适用于手持设备模块,如移动电话、数码相机和便携式电子设备中的电路控制和电源管理。


综上所述,BS250FTA适用于低功耗应用、电池管理、照明控制和手持设备等领域模块。