BSC252N10NSF G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 一、产品简介
BSC252N10NSF G-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，封装形式为DFN8（5x6mm），专为中高电压和中等电流应用设计。该器件采用先进的沟槽（Trench）技术，具有出色的电气性能。在最大漏源电压100V的条件下，BSC252N10NSF G-VB能够承受高达30A的漏极电流。其导通电阻在VGS=10V时为17mΩ，适用于需要稳定开关性能的电子系统。
### 二、详细参数说明
| 参数 | 值 |
|---------------------|-------------------|
| **器件型号** | BSC252N10NSF G-VB |
| **封装类型** | DFN8 (5x6mm) |
| **配置** | 单N沟道（Single-N-Channel）|
| **最大漏源电压 (VDS)** | 100V |
| **最大栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 1.8V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 17mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏极电流 (ID)** | 30A |
| **技术** | 沟槽（Trench） |
### 三、应用领域和模块
#### 1. 电源管理
BSC252N10NSF G-VB在电源管理系统中非常适合用于中等电流的DC-DC转换器和AC-DC电源适配器。尽管其导通电阻相对较高，但在满足100V最大漏源电压的情况下，能够有效控制功率损耗，提高电源系统的效率，特别是在需要处理中等功率的应用中表现良好。
#### 2. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）
在电动汽车和混合动力汽车的电源系统中，BSC252N10NSF G-VB可用于电池管理和电机驱动模块。其适中的导通电阻和较高的电流承载能力使其适合用于中等功率的应用场景，帮助优化电力传输，提高整体系统性能。
#### 3. 工业控制
在工业自动化领域，BSC252N10NSF G-VB适用于中等电流的电机控制和开关应用。其高电压耐受性和稳定的导通性能使其适合用于控制系统和电机驱动器，尤其是在需要中等负载和功率控制的环境中。
#### 4. 高效LED驱动
在高效LED照明系统中，BSC252N10NSF G-VB可以作为开关元件应用于LED驱动电路。其稳定的导通性能和高电流处理能力能够支持中等功率的LED驱动需求，提高整体驱动电路的效率，并延长LED的使用寿命。
这些应用示例展示了BSC252N10NSF G-VB在中高电压和中等电流环境中的广泛适用性，使其成为现代电子系统中一个重要的开关组件。
