BUK426-200A-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-10
### 一、BUK426-200A-VB 产品简介
BUK426-200A-VB 是一款高压N沟道MOSFET，采用经典的TO220封装。它利用Trench技术制造，具有出色的电气性能，专为高电压和高电流应用而设计。其设计目标是提供高达200V的漏源极电压和良好的导通特性，使其在各种高电压开关和电源管理应用中表现卓越。
### 二、BUK426-200A-VB 详细参数说明
- **型号**: BUK426-200A-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 200V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 110mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench
### 三、BUK426-200A-VB 适用领域和模块举例
BUK426-200A-VB 的高压和高电流特性使其在多个领域和模块中非常适用：
1. **高压电源管理**: 由于其能够承受高达200V的电压，BUK426-200A-VB 适合用于高压电源管理系统，包括AC-DC转换器和高压DC-DC转换器。这些应用需要稳定可靠的高电压开关，以确保电源系统的高效能和安全性。
2. **电机驱动控制**: 在电机驱动应用中，如电动工具和电动汽车控制器，该MOSFET 的高电流处理能力和高电压耐受性能够保证电机的稳定运行。尤其是在高电流和高电压的电机驱动模块中，该MOSFET 能够提供可靠的开关性能。
3. **功率开关设备**: 在功率开关设备中，包括开关电源和高功率电源模块，BUK426-200A-VB 的高电流和高电压特性确保了开关设备在高负载下的稳定性。它能够有效地处理高功率负载，同时保持低导通损耗。
4. **逆变器和充电器**: 在逆变器系统和电池充电器中，该MOSFET 的高压耐受性和高电流处理能力使其适用于将电池电压转换为稳定的输出电压。其低导通电阻也有助于提升系统的整体效率。
BUK426-200A-VB 凭借其高电压耐受性、良好的导通特性和高电流能力，在要求高效、高可靠性的电力电子应用中表现优异，是现代电子系统中不可或缺的高性能组件。
