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B22NS25Z-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B22NS25Z-VB** 是一款采用 TO263 封装的单级 N 沟道 MOSFET。该器件采用沟槽工艺，提供高耐压和适中的导通电阻，适合中高电压和中等电流的电子应用。
### 参数说明
- **封装**：TO263
- **配置**：单级 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：250V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：230mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**：16A
- **技术**：沟槽工艺
### 适用领域和模块示例
1. **高电压电源管理**：B22NS25Z-VB 的高漏源电压使其适用于高电压电源管理应用，能够稳定处理高电压条件下的电流，有助于提高系统的安全性和可靠性。
2. **开关电源**：适合在开关电源模块中使用，处理高电压下的开关任务，同时提供相对较低的功率损耗。
3. **工业设备**：在工业设备中，该 MOSFET 可以用于高电压控制和开关应用，适应各种高电压负载，提升系统性能。
4. **电动工具**：用于电动工具的电源开关和控制模块，在中高电压和中等电流条件下稳定工作，提高工具的效率和耐用性。
