公司动态详情返回动态列表>
UTT25P10L-VB一款P沟道TO220封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号：UTT25P10L-VB
丝印：VBM2102M
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-100V
- 额定电流：-18A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：167mΩ @ 10V, 178mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：-1.6V
- 封装类型：TO220
应用简介：
UTT25P10L-VB是一款P沟道场效应晶体管（FET），具有高额定电压和电流特性，以及相对低的导通电阻。这使其适合在高功率电子应用中使用，以有效地控制电流和电压。
应用领域：
1. 电源开关模块：UTT25P10L-VB可用于电源开关电路，如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器，以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. 电机控制：在电机驱动电路、电机控制器和电动汽车中，这款晶体管可用于电机的启停、速度调节和效能提升。
3. 高功率放大器：在音频放大器和射频（RF）功率放大器中，UTT25P10L-VB可用于实现高功率输出和信号放大。
4. 电池管理：在电池供电系统、充电设备和便携式电子设备中，这款晶体管可用于电池保护和电池充电/放电控制。
总之，UTT25P10L-VB是一款适用于高功率电子应用的P沟道场效应晶体管，适用于电源管理、电机控制、高功率放大器和电池管理等领域。其TO220封装使其适用于各种电路设计。
