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BSC017N04NS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
**产品简介：**
BSC017N04NS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)，专为低电压、大电流应用设计。其 VDS（漏极-源极最大电压）为 40V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 高达 120A。其 RDS(ON) 为 2mΩ（在 VGS=10V 时），采用沟槽型工艺技术，提供极低的导通电阻，适用于要求高效能和高可靠性的开关电路。
**详细参数说明：**
- **封装**: DFN8(5x6)
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 40V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 120A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **电源管理系统**：在高效电源转换和稳压电路中，BSC017N04NS G-VB 的低 RDS(ON) 特性可以显著减少功耗和提高效率，适合用于 DC-DC 转换器和电源开关。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电机驱动系统中，该 MOSFET 能够处理大电流，确保驱动系统的稳定性和可靠性。
3. **计算机电源**：在计算机和服务器的电源模块中，BSC017N04NS G-VB 可以用作高效的开关元件，支持高电流负载并优化电源性能。
