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BSO203P-VB一种SOP8封装Dual-P+P-Channel场效应管
2025-01-09
### 产品简介
**BSO203P-VB** 是一款高性能双P沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为SOP8。该MOSFET设计用于负电压应用，具有-20V的漏源电压（VDS）和最大20V的栅源电压（VGS）。其低导通电阻和宽阈值电压范围使其在各种负电压电源管理和开关应用中提供高效的性能和稳定性。
### 参数说明
- **型号**: BSO203P-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双P沟道
- **漏源电压（VDS）**: -20V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: -1.2V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 18mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: -8.9A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**BSO203P-VB** 主要适用于以下领域和模块：
1. **负电压电源管理**: 用于-20V电源转换器和负电压电源管理模块，提供高效的功率转换和低功率损耗，优化系统能效。
2. **负电压开关电路**: 在负电压开关电路中，如负电源开关和负载开关，提供稳定的开关性能和较低的导通电阻。
3. **电动驱动系统**: 用于需要负电压的电动汽车和驱动系统中，处理负电流负载，确保系统的稳定性和高效运行。
4. **工业控制**: 在需要负电压的工业自动化设备中应用，能够处理适中的电流负载，提高系统的整体性能和可靠性。
该MOSFET的低导通电阻和负电压处理能力使其在各种负电压电源和开关应用中表现优异。
