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AP15T03GH-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-10
### 1. 产品简介
AP15T03GH-VB 是一款单 N-沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用Trench工艺制造。该器件适用于高性能功率开关和电源管理应用，具有30V的漏极-源极电压（VDS）额定值和最大70A的漏极电流（ID）容量。
### 2. 参数说明
- **型号**: AP15T03GH-VB
- **封装**: TO252
- **通道类型**: 单 N-沟道
- **VDS (漏极-源极电压)**: 30V
- **VGS (栅极-源极电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: 1.7V
- **RDS(ON) (导通电阻)**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: 70A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
AP15T03GH-VB 可适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 由于其低导通电阻和高漏极电流容量，适合用作高性能的电源开关和电源管理系统中的关键组件。
- **电动工具**: 在电动工具和工业设备中，可用于电机驱动器和电源开关，以支持高功率和高效率的电动工具操作。
- **电动车辆**: 在电动车辆中，可用于电池管理系统和电动马达驱动，确保高效能和可靠的电动车辆性能。
- **服务器和数据中心**: 在服务器和数据中心的电源管理和功率分配中，确保高效的能源利用和稳定的电力输出。
AP15T03GH-VB 的高电流和低导通电阻特性使其在需要处理大功率和高效率能源转换的应用中表现出色。
