BTS113ANKSA1与VBM1680参数对比报告

2026-08-05

N沟道功率MOSFET参数对比分析报告

一、产品概述

BTS113ANKSA1：英飞凌（Infineon）TEMPFET? N沟道功率MOSFET，集成温度传感器（具有晶闸管特性），逻辑电平驱动，增强型。耐压60V，低导通电阻。封装：TO-220AB。适用于需要集成过热保护功能的开关应用。
VBM1680：VBsemi N沟道60V功率MOSFET，具有动态dV/dt能力，开关速度快，易于并联，驱动简单。封装：TO-220AB。适用于需要高效率和高电流能力的开关电源、电机驱动等应用。

参数	符号	BTS113ANKSA1	VBM1680	单位
漏-源电压	VDSS	60	60	V
栅-源电压	VGSS	±10	±20	V
连续漏极电流 (Tc=25°C)	ID	11.5	20	A
脉冲漏极电流	IDM	46	68	A
最大功率耗散 (Tc=25°C)	PD	40	60	W
沟道/结温	Tch/TJ	150	175	°C
存储温度范围	Tstg	-55 ~ +150	-55 ~ +175	°C
雪崩能量（单脉冲）	EAS	未提供	100	mJ
短路电流	ISC	27	未提供	A

分析：VBM1680 在电流能力方面优势明显，连续电流和脉冲电流额定值（20A/68A）均高于 BTS113ANKSA1（11.5A/46A），且最大结温更高（175°C vs 150°C）。BTS113ANKSA1 集成了短路保护特性，并明确了短路电流参数。两者耐压等级相同。

参数	符号	BTS113ANKSA1	VBM1680	单位
漏-源击穿电压	V(BR)DSS	60 (最小)	60 (最小)	V
栅极阈值电压	VGS(th)	1.6 ~ 2.5	1.0 ~ 3.0	V
导通电阻 (VGS=10V, ID=10A)	RDS(on)	0.17 最大 (VGS=4.5V, ID=5.8A)	0.072 典型	Ω
正向跨导	gfs	4.5 ~ 7.5 (ID=5.8A)	5.5 典型 (ID=10A)	S

分析：VBM1680 的典型导通电阻（0.072Ω）显著低于 BTS113ANKSA1 的最大值（0.17Ω），这意味着在相同电流下，VBM1680 的导通损耗更低，效率更高。BTS113ANKSA1 为逻辑电平驱动（测试条件VGS=4.5V），而VBM1680为标准10V驱动。

参数	符号	BTS113ANKSA1	VBM1680	单位
输入电容	Ciss	420 ~ 560	640 典型	pF
输出电容	Coss	160 ~ 250	360 典型	pF
反向传输电容	Crss	60 ~ 110	79 典型	pF
总栅极电荷	Qg	未提供	25 最大	nC
栅-源电荷	Qgs	未提供	5.8 最大	nC
栅-漏（米勒）电荷	Qgd	未提供	11 最大	nC

分析：VBM1680 提供了完整的栅极电荷参数，总栅极电荷（Qg max=25nC）较低，有利于降低驱动损耗并提升开关速度。其电容参数与 BTS113ANKSA1 处于同一量级。

参数	符号	BTS113ANKSA1	VBM1680	单位
开通延迟时间	td(on)	15 ~ 25	13 典型	ns
上升时间	tr	55 ~ 80	58 典型	ns
关断延迟时间	td(off)	45 ~ 60	25 典型	ns
下降时间	tf	40 ~ 55	42 典型	ns

分析：VBM1680 的开关时间参数，尤其是关断延迟时间（25ns）优于 BTS113ANKSA1 的最大值（60ns），整体上显示出更快的开关性能，有助于降低高频应用中的开关损耗。

参数	符号	BTS113ANKSA1	VBM1680	单位
二极管正向压降	VSD	1.3 ~ 1.6 @ 11.5A	1.5 最大 @ 17A	V
反向恢复时间	trr	60 典型	88 ~ 180	ns
反向恢复电荷	Qrr	0.10 典型	0.29 ~ 0.64	μC
峰值二极管恢复dV/dt	dV/dt	未提供	4.5	V/ns

分析：BTS113ANKSA1 体二极管的反向恢复时间（60ns）和电荷（0.1μC）更优，可能带来更小的反向恢复损耗。VBM1680 明确了其抗dV/dt能力（4.5 V/ns），在硬开关条件下更可靠。两者正向压降相近。

参数	符号	BTS113ANKSA1	VBM1680	单位
结-壳热阻	RθJC	≤ 3.1	≤ 2.5	°C/W
结-环境热阻	RθJA	≤ 75	62	°C/W

分析：VBM1680 的热阻参数（RθJC ≤ 2.5°C/W， RθJA 62°C/W）略优于 BTS113ANKSA1（RθJC ≤ 3.1°C/W， RθJA ≤ 75°C/W），结合其更高的最大功耗（60W vs 40W），表明其散热能力更强，可持续承受更大的功率。

BTS113ANKSA1 优势	VBM1680 优势
◆ 集成温度传感器与过热/短路保护功能 ◆ 逻辑电平驱动（VGS=4.5V），与微控制器接口更简单 ◆ 体二极管反向恢复特性更优（trr, Qrr更低） ◆ 明确了短路电流及保护相关参数	◆ 更低的导通电阻（RDS(on)），导通损耗显著降低 ◆ 更高的连续与脉冲电流能力（20A/68A） ◆ 更高的最大工作结温（175°C） ◆ 总栅极电荷（Qg）低，驱动损耗小 ◆ 开关速度略快，尤其是关断延迟 ◆ 热阻更低，散热性能更好 ◆ 具备雪崩能量（EAS）及抗dV/dt能力认证

选择 BTS113ANKSA1：当应用对系统可靠性要求极高，需要芯片内置的过热和短路保护功能来简化外围电路设计时；或者当驱动电压较低（如5V逻辑电平）时。其集成的温度传感器特性是独特优势。
选择 VBM1680：当应用追求高效率（低导通损耗和开关损耗）、大电流输出能力，或工作环境温度较高时。其优异的综合性能（低RDS(on)、高电流、快开关、强散热）使其在大多数通用开关电源和电机驱动场合中表现更出色，有助于提升整体系统能效和功率密度。