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BSC019N04NS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC019N04NS G-VB** 是一款高性能单 N-Channel MOSFET，封装形式为 DFN8(5x6)。这款 MOSFET 采用 Trench 技术，具有非常低的导通电阻和高漏电流承载能力，适用于高效率开关应用和大电流电源模块。
### 详细参数说明
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: 40V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 3V
- **导通电阻 (R_DS(on))**: 2mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 120A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **高效开关电源**: 由于其超低导通电阻和高耐压能力，BSC019N04NS G-VB 非常适合在高效开关电源中作为主要开关组件，能够显著减少功耗并提高整体效率。
2. **大功率电流驱动**: 适用于需要大电流承载的应用，如电机驱动和高功率 DC-DC 转换器，能够提供稳定的电流并提高系统可靠性。
3. **电源管理**: 用于电源管理电路中，可以在电源分配和电池管理系统中提供高效的开关功能，提升系统的性能和稳定性。
4. **计算机和通信设备**: 在计算机主板和通信设备中作为关键的功率开关元件，能有效管理高功率负载和减少热损耗。
