AP1203GH-VB一种TO252封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-10
### 产品简介
AP1203GH-VB 是一款高性能的单 N-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，封装形式为 TO252。它具有低导通电阻和高电流承载能力，适合需要高效能和可靠性的电子应用场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单 N-沟道
- **击穿电压 (VDS)**：30V
- **栅极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**：70A
- **技术**：Trench
### 应用领域及模块示例
AP1203GH-VB MOSFET 可以在多种电子系统和模块中广泛应用，以下是几个具体的应用示例：
1. **电源管理**：
- 在高效率 DC-DC 转换器中，AP1203GH-VB 可以提供低导通电阻和高电流承载能力，减少能量损耗并提高系统效率。
- 适用于电池管理系统，如便携式设备和工业应用中的电源分配和充电管理。
2. **电动汽车**：
- 在电动汽车的电机驱动和电池管理系统中，AP1203GH-VB 可以用于高电流开关和功率控制，支持安全和高效的电能转换。
3. **工业自动化**：
- 用于工业控制系统中的电流开关和电压调节器，确保设备的稳定运行和长期可靠性。
- 在机器人控制和自动化设备中，提供高效的电动机驱动和电源管理。
4. **消费电子**：
- 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，AP1203GH-VB 可以用于电池管理、充电器和适配器中，提升能效和延长电池寿命。
总之，AP1203GH-VB 是一款多功能的 MOSFET，适合于需要高电流承载能力和低导通电阻的高效能电子系统和设备。
