BUK446-800B-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-13
### 产品简介
**BUK446-800B** 是一款单极N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），封装形式为TO220。这款MOSFET采用平面（Plannar）技术，专为超高电压应用设计，具有极高的漏极-源极耐压能力和稳定的开关性能。其设计适用于需要高耐压和高电流处理的应用场合，能够在高电压环境下提供可靠的开关控制。
### 详细参数说明
- **型号**: BUK446-800B
- **封装**: TO220
- **配置**: 单极N沟道（Single-N-Channel）
- **漏极-源极耐压（V_DS）**: 850V
- **栅极-源极耐压（V_GS）**: ±30V
- **阈值电压（V_th）**: 3.5V
- **导通电阻（R_DS(ON)）**: 2700mΩ（在V_GS = 10V时）
- **漏极电流（I_D）**: 4A
- **技术**: 平面（Plannar）
### 应用领域及模块示例
**1. 高电压电源管理：**
BUK446-800B 的850V漏极-源极耐压使其特别适合用于高电压电源管理系统。例如，它可以用于高电压AC-DC转换器和电源开关模块，提供高电压环境下的稳定和可靠的开关性能。
**2. 工业高压控制：**
在工业高压控制系统中，这款MOSFET 能够处理高电压和高功率负载。例如，它可以用于电机驱动和高压负载开关，在工业设备中提供稳定的控制和高效的开关能力。
**3. 高电压逆变器和变换器：**
在高电压逆变器和电力变换器中，BUK446-800B 适用于需要高电压耐受和稳定性能的应用。例如，它可以用于高压太阳能逆变器和电力变换系统，确保高效的电力转换和稳定的操作。
**4. 电池保护系统：**
这款MOSFET 也适用于高电压电池管理和保护系统中。虽然其漏极电流较低，但其高耐压能力可以用于电池保护电路中的高电压开关和过压保护，确保电池系统的安全性和稳定性。
**5. 高电压汽车电子：**
在汽车电子系统中，尤其是在高电压电源和保护电路中，BUK446-800B 的高电压承载能力使其成为理想选择。例如，它可以用于高电压电池管理系统和电源开关控制，确保汽车电子系统的稳定运行。
这些应用示例展示了 BUK446-800B 在高电压环境中的广泛适用性，尽管其导通电阻相对较高，但其高耐压能力使其成为处理超高电压应用的理想选择。
