AFP6801TS6RG-VB一种Dual-P+P沟道SOT23-6封装MOS管
2024-11-28
### 产品简介详
**AFP6801TS6RG-VB MOSFET**
AFP6801TS6RG-VB是一款双P沟道MOSFET，采用SOT23-6封装。它适用于负漏源电压应用，并具有优异的导通特性和可靠性，适合在各种电子系统中提供高效能和稳定性能。
### 详细的参数说明
- **封装类型**: SOT23-6
- **晶体管配置**: 双P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS=2.5V
- 75mΩ @ VGS=4.5V
- **漏极电流 (ID)**: -4A
- **技术类型**: Trench（沟槽）
### 应用领域和模块举例
**电源管理**:
AFP6801TS6RG-VB适用于负漏源电压的电源管理电路，特别是在电池供电设备和便携式电子产品中，可用于电源开关和电流控制。
**电路保护**:
在各种电路保护应用中，如过电流保护和过电压保护电路中，AFP6801TS6RG-VB可以有效地保护电子设备免受损害。
**传感器接口**:
在传感器接口电路中，AFP6801TS6RG-VB的快速开关特性和稳定性能使其成为传感器信号处理和驱动电路的理想选择。
**便携式消费电子产品**:
由于其小型封装和低功耗特性，AFP6801TS6RG-VB适合用于便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑和便携式音频设备的电源管理和电路控制。
综上所述，AFP6801TS6RG-VB作为一款双P沟道MOSFET，在负漏源电压应用中具有广泛的应用潜力，特别适合于电源管理、电路保护、传感器接口和便携式消费电子产品等多个领域的电子系统设计。
