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B256L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B256L-VB** 是一款高性能单N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。该 MOSFET 采用 Trench 技术，专为中高电压应用设计，提供良好的导通电阻和漏电流能力。其高耐压和适中的导通电阻使其适用于各种电源管理和功率控制模块。
### 详细参数说明
- **型号**: B256L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (V_DS)**: 200V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **栅源阈值电压 (V_th)**: 3V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 10V 栅源电压下: 48mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**: 40A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**B256L-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **中高压开关电源**:
- 在中高压开关电源中作为开关元件，提供稳定的电流控制和较低的功耗。
2. **工业电源管理**:
- 适用于工业设备的电源模块，处理高电压和中等电流的开关需求，确保系统稳定性。
3. **电机驱动**:
- 用于电机控制电路，支持高电压下的高效能操作。
4. **功率转换器**:
- 在功率转换器中作为开关元件，提供高耐压能力和可靠的性能。
这些应用展示了 B256L-VB 在处理中高电压电源和功率控制中的优势。
