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AP9987GJ-VB一款N沟道TO251封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号：AP9987GJ-VB
丝印：VBFB1101M
品牌：VBsemi
参数说明：
- N沟道
- 额定电压：100V
- 最大电流：15A
- RDS(ON)：115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V
- 门源电压（Vgs）范围：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.41V
- 封装：TO251
应用简介：
AP9987GJ-VB是一款N沟道MOSFET，适用于中高功率应用。它具有适中的电压额定值和高电流承受能力，适合多种中高功率电子设备。
应用领域：
1. **电源管理模块**：AP9987GJ-VB可用于电源管理模块，以实现电源开关和电池保护，特别适用于中高功率要求的电源管理。
2. **电机控制**：在电机控制应用中，如大型电机、电动汽车和工业应用，它可用于电机驱动电路，提供高电流和电压控制。
3. **电源逆变器**：在太阳能逆变器和高功率电力系统中，它可用于电能逆变电路，将直流电转换为交流电。
4. **开关电源**：可用于高功率开关电源模块，提供高效率的电源管理。
总之，AP9987GJ-VB适用于中高功率应用，包括电源管理、电机
