BR50N06-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-08
### BR50N06-VB MOSFET 产品简介
BR50N06-VB 是一款高性能单N通道MOSFET，封装在TO-220外壳中。该MOSFET 设计用于需要高电流处理和高效率的应用场合。其最大漏极-源极电压（VDS）为60V，栅极-源极电压（VGS）容差为±20V，适合于各种电源管理和开关应用。BR50N06-VB 的阈值电压（Vth）为1.7V，保证了在低栅极电压下可靠启动。该MOSFET 的导通电阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V时为13mΩ，在VGS = 10V时为11mΩ，提供了良好的功率效率和较低的功耗。其连续漏极电流（ID）高达60A，适合于处理较大电流的应用。BR50N06-VB 采用先进的沟槽技术，优化了其开关性能和整体能效。
### BR50N06-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型:** TO-220
- **配置:** 单N通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 60V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V 时为 13mΩ
- VGS = 10V 时为 11mΩ
- **连续漏极电流 (ID):** 60A
- **技术:** 沟槽技术
### BR50N06-VB MOSFET 的应用领域
BR50N06-VB MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多种领域中表现出色。例如，在电源管理系统中，这款MOSFET 可以用于开关电源和电源调节模块，以高效处理大电流负荷并减少功耗。在汽车电子领域，它适合用于电动车辆的电机控制系统中，确保高效和稳定的电流供应。在工业应用中，BR50N06-VB 可用于电机驱动器和高功率转换设备，提供可靠的高电流开关功能，降低能量损失。此外，该MOSFET 还可用于消费电子产品，如高效能LED驱动器和电源模块，提升整体设备的性能和能效。
