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AO8801-VB一款2个P沟道TSSOP8封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号：AO8801-VB
丝印：VBC6P3033
品牌：VBsemi
参数：
- 2个P沟道
- 最大耐压：-30V
- 最大漏电流：-5.2A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：1V to 3V
- 封装：TSSOP8
应用简介：
AO8801-VB包含2个P沟道场效应晶体管，适用于中功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于多种电子系统，特别是需要控制两个P沟道的应用。
领域模块应用：
1. DC-DC转换器模块：AO8801-VB可用于DC-DC电源转换器，以提供有效的电能转换。
2. 电机控制模块：在电机控制和驱动电路中，特别是需要控制两个P沟道的应用，它能够提供所需的电流和效率。
3. 电源管理模块：适用于中功率电源管理模块，如逆变器和电源开关控制器。
这些特性使AO8801-VB在多种中功率电子应用中有广泛的应用。
