BSP120-VB一种Single-N沟道SOT223封装MOS管
2025-01-09
### 产品简介
BSP120-VB是一款高电压单N沟道MOSFET，采用SOT223封装，设计用于需要高电压和中低电流的应用。该MOSFET使用Trench技术，能够在高达200V的漏源极电压下稳定工作，并提供最大1A的漏极电流。其较高的导通电阻和较低的电流处理能力使其特别适用于高电压开关和保护应用，为系统提供可靠的性能。
### 详细参数说明
- **型号**: BSP120-VB
- **封装类型**: SOT223
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 200V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1200mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 1A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **高电压开关**：BSP120-VB MOSFET非常适合用于高电压开关应用。其高漏源极电压承受能力（200V）使其能够在高电压环境下稳定工作，并有效控制开关操作。
2. **电源保护**：在电源保护系统中，这款MOSFET可以作为过电压保护器件，帮助防止电源电压过高对电路造成损害。其高电压耐受能力和中等导通电阻使其在保护电源和电路中具有良好的应用表现。
3. **功率开关**：BSP120-VB MOSFET可以用作功率开关，在需要高电压控制的应用中发挥作用。例如，在某些工业控制系统中，它可以控制高电压负载，提供可靠的开关操作。
4. **继电器驱动**：这款MOSFET适用于驱动继电器，特别是在高电压应用中。其高电压耐受能力和稳定的开关性能使其适合用来控制高电压负载和设备。
5. **高压电路中的开关**：在高压电路设计中，BSP120-VB MOSFET能够处理较高的漏源极电压和中低电流，确保电路的可靠开关操作。其高电压能力为高压电路提供了必要的开关控制。
BSP120-VB凭借其高电压承受能力和可靠的开关性能，在这些应用中展现了优异的性能，是高电压开关和保护应用中的理想选择。
