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BSO040N03MS G-VB一种SOP8封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-09
### 产品简介
**BSO040N03MS G-VB** 是一款高性能单通道 N 型 MOSFET，封装形式为 SOP8。该器件设计用于低电压、高电流应用，最大漏极电流为 18A，漏极-源极耐压为 30V。具有较低的 RDS(ON)（4mΩ @ VGS=10V），能够显著降低功耗和热量。其阈值电压为 1.7V，栅极-源极耐压为 ±20V，采用沟道工艺（Trench），提供稳定的开关性能。
### 详细参数说明
- **型号**: BSO040N03MS G-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 4mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术**: 沟道工艺 (Trench)
### 应用领域和模块
**BSO040N03MS G-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：在高效电源转换器和 DC-DC 转换模块中使用，提供稳定的开关性能，适合用于高功率电源管理。
2. **电机驱动**：用于高电流电机控制系统，如电动工具、电动车辆和工业电机，支持高效的开关控制。
3. **汽车电子**：应用于汽车电源管理和负载开关，如电动座椅、窗户调节和电动门锁。
4. **电池充电**：用于电池充电器和电池管理系统中，提供高效的开关控制，优化充电过程。
5. **数据中心电源**：在数据中心的电源模块中应用，支持高电流开关，满足高性能计算和数据处理需求。
