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AP50T10GJ-HF-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2024-12-17
### 1. 产品简介详细：
AP50T10GJ-HF-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO251 封装，适用于高压和高电流的功率开关应用。该器件结合了高 VDS（100V）和低 RDS(ON) 的特性，采用先进的 Trench 技术，适合要求高效能和高可靠性的电源系统设计。
### 2. 详细的参数说明：
- **封装类型**: TO251
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通时的静态电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 10V: 36mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 最大值 35A
- **技术特点**: Trench 结构，提供优异的开关特性和热稳定性
### 3. 应用示例：
- **电动工具**: 在电动工具的电源开关模块中，AP50T10GJ-HF-VB 可以用于电机驱动和电池管理，确保设备在高负载和频繁开关下的高效能和长期稳定性。
- **电动车充电桩**: 由于其高电压容忍度和大电流承载能力，适合用于电动车充电桩中的功率开关和电池管理系统，确保快速充电和安全操作。
- **工业自动化设备**: 在工业控制和自动化设备中，AP50T10GJ-HF-VB 可以作为电源开关和电机控制模块的关键元件，提供可靠的功率转换和节能效果。
这些示例展示了 AP50T10GJ-HF-VB 在不同领域和模块中的应用潜力，体现了其在高压功率开关和电源管理中的重要性和实用性。
