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AP4533GEM-HF-VB一种Dual-N+P沟道SOP8封装MOS管
2024-12-16
### 1. 产品简介
AP4533GEM-HF-VB 是一款双路 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。其优异的性能和设计使其适用于多种应用场合。
### 2. 详细参数说明
- **包装类型:** SOP8
- **配置:** 双-N+P-沟道
- **耐压(VDS):** ±30V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.8V(N 沟道),-1.7V(P 沟道)
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 4.5V时:N沟道 13mΩ,P沟道 28mΩ
- 10V时:N沟道 11mΩ,P沟道 21mΩ
- **漏极电流(ID):** 最大值分别为 10A(N 沟道),-8A(P 沟道)
- **技术特点:** Trench 结构
### 3. 应用领域和模块示例
- **电源管理:** 由于其低导通电阻和高耐压特性,AP4533GEM-HF-VB 可用于开关电源的主要功率开关和同步整流器。
- **电机驱动:** 在电动工具、家用电器以及电动汽车中,其高电流承受能力和低导通电阻使其成为理想的电机驱动器件。
- **电源逆变器:** 用于太阳能逆变器和其他电源逆变器中,能有效提高能量转换效率和系统可靠性。
- **工业控制:** 在工业自动化和机器人系统中,作为电源开关和驱动器,确保设备的高效运行和响应速度。
这些示例突显了 AP4533GEM-HF-VB 在多种高性能应用中的广泛应用,通过其优异的电气特性和可靠性,为各种领域的电路设计提供了重要支持。