AOT12N50-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2024-12-06
### 产品简介
AOT12N50-VB是一款高压、高性能的单N沟道功率MOSFET，适用于要求高电压和可靠性的电源和开关应用。其采用平面技术（Plannar），封装形式为TO220，能够在各种恶劣环境条件下稳定运行。
### 详细参数说明
- **型号**：AOT12N50-VB
- **封装形式**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：430mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**：18A
- **技术类型**：平面（Plannar）
### 应用领域和模块
AOT12N50-VB由于其高压耐受能力和稳定性，适用于多种高功率和高电压的应用，包括但不限于：
- **电源逆变器**：在电力电子设备中，AOT12N50-VB可以用于构建高压逆变器，将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器和工业UPS系统。
- **电动车充电桩**：在电动车充电设备中，这款MOSFET可以作为充电桩中的开关元件，支持高压和高功率的充电过程。
- **高压直流-直流转换器**：在需要高效能的高压DC-DC转换器中，AOT12N50-VB可以作为同步整流器，提供有效的功率转换和节能特性。
- **工业高压电源**：在工业控制系统和设备中，这款MOSFET能够提供稳定的高压电源开关和保护功能，确保设备的安全和可靠性。
- **医疗设备**：在高压医疗设备的电源管理中，AOT12N50-VB可以用于提供高效、稳定的电源转换和管理，支持医疗设备的持续运行。
总的来说，AOT12N50-VB适用于需要高压和高功率处理能力的电源管理和开关控制应用，特别是在需要稳定性和可靠性的环境中表现突出。
