BSC067N06LS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### BSC067N06LS3 G-VB MOSFET 产品简介
BSC067N06LS3 G-VB 是一款高性能单N通道MOSFET，封装在DFN8(5x6)外壳中。该MOSFET 设计用于需要高电流处理和高效率的应用场合。其最大漏极-源极电压（VDS）为60V，栅极-源极电压（VGS）容差为±20V，能够适应各种电源管理和开关应用。BSC067N06LS3 G-VB 的阈值电压（Vth）为2.5V，确保在较低的栅极电压下可靠启动。其导通电阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V时为7mΩ，在VGS = 10V时为6mΩ，提供了优良的功率效率和较低的功耗。该MOSFET 的连续漏极电流（ID）高达80A，适合处理较大电流负荷。BSC067N06LS3 G-VB 采用先进的沟槽技术，优化了其开关性能和总体能效。
### BSC067N06LS3 G-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型:** DFN8(5x6)
- **配置:** 单N通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 60V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V 时为 7mΩ
- VGS = 10V 时为 6mΩ
- **连续漏极电流 (ID):** 80A
- **技术:** 沟槽技术
### BSC067N06LS3 G-VB MOSFET 的应用领域
BSC067N06LS3 G-VB MOSFET 由于其高电流处理能力和低导通电阻，在多个领域中表现出色。例如，在电源管理系统中，这款MOSFET 可用于高效的电源开关和电源调节模块，处理大电流负荷同时减少功耗。在电动汽车领域，它适合用于电机控制系统和电源管理模块，确保高效和稳定的电流供应。在工业应用中，BSC067N06LS3 G-VB 可用于电机驱动器和高功率转换设备，提供可靠的高电流开关功能，降低能量损失。此外，该MOSFET 还适合用于高效能LED驱动器和其他高功率电子设备，提升整体性能和能效。
