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AP15P10GJ-VB一种Single-P沟道TO251封装MOS管
2024-12-10
### 1. 产品简介
AP15P10GJ-VB 是一款单 P-沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用Trench工艺制造。该器件适用于高性能功率开关和电源管理应用，具有-100V的漏极-源极电压（VDS）额定值和最大-12A的漏极电流（ID）容量。
### 2. 参数说明
- **型号**: AP15P10GJ-VB
- **封装**: TO251
- **通道类型**: 单 P-沟道
- **VDS (漏极-源极电压)**: -100V
- **VGS (栅极-源极电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: -2V
- **RDS(ON) (导通电阻)**:
- 234mΩ @ VGS = 4.5V
- 215mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: -12A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
AP15P10GJ-VB 可适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 由于其高导通电流和适中的漏极-源极电压，适合用作高性能电源开关和电源管理系统中的关键部件。
- **电动工具**: 在电动工具和家用电器中，可用于电机驱动器和电源开关，以提供高效的电能转换和电动工具的高性能驱动。
- **电动车辆充电系统**: 在电动车辆充电系统中，用于电池管理和充电控制，确保高效率和安全的电池充电过程。
- **工业控制**: 用于工业设备和控制系统中的功率开关和逆变器，以提供可靠的功率控制和管理。
AP15P10GJ-VB 的高性能特性和可靠性使其在多个应用场景中成为首选，特别是需要处理高电流和高功率的场合。
