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SI2314EDS-T1-E3-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号：SI2314EDS-T1-E3-VB
丝印：VB1240
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 最大耐压：20V
- 最大漏电流：6A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：0.45V to 1V
- 封装：SOT23
应用简介：
SI2314EDS-T1-E3-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于低功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于小型电子系统。
领域模块应用：
1. 电源开关模块：SI2314EDS-T1-E3-VB可用于低功率电源开关应用，如便携式电子设备和电池供电设备。
2. 信号开关：适用于低功率信号开关和控制电路，如小型开关电路和信号切换器。
3. 低功耗模块：在需要低功耗的模块中，如传感器节点、小型控制器，可发挥作用。
这些特性使SI2314EDS-T1-E3-VB在小型低功率电子应用中有广泛的应用。
