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SiA400EDJ-T1-GE3-VB一款N沟道DFN6(2X2)封装MOSFET应用分析
2024-01-06
SiA400EDJ-T1-GE3是一款N沟道功率场效应管，具有以下参数：
- 最大耐压：30V
- 最大漏极电流：5.8A
- 导通时的电阻（RDS(ON)）：22mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
- 栅极电压（Vgs）范围：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.2V
- 封装：DFN6 (2X2)
该产品适用于以下领域模块：
- 电源开关：SiA400EDJ-T1-GE3可以用作电源开关模块中的主要器件，用于电源的控制和转换。
- 电机驱动：适用于各种电机驱动模块中，提供稳定的功率放大和驱动能力。
- 电源管理：在电源管理模块中，可用于实现电源开关、电源保护和电源管理等功能。
- LED照明：可以应用于LED照明模块中，实现对LED灯的驱动和亮度控制。
综上所述，SiA400EDJ-T1-GE3适用于电源开关、电机驱动、电源管理和LED照明等领域模块。
