AM40N04-30DE-T1-PF-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-11-28
### 产品简介详述：AM40N04-30DE-T1-PF-VB
**型号：** AM40N04-30DE-T1-PF-VB
**封装：** TO252
**结构：** 单N沟道
**漏极-源极电压（VDS）：** 40V
**栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
**阈值电压（Vth）：** 2.5V
**导通电阻（RDS(ON)）：** 14mΩ @ VGS=4.5V, 12mΩ @ VGS=10V
**漏极电流（ID）：** 55A
**技术：** Trench（沟槽型）
### 详细参数说明：
1. **电气特性：**
- **静态参数：**
- 漏极-源极电压（VDS）：40V
- 栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：2.5V
- 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：
- 14mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：55A
2. **封装和配置：**
- 封装形式：TO252
- 结构类型：单N沟道
3. **技术特性：**
- 采用沟槽型MOSFET技术
### 应用示例：
AM40N04-30DE-T1-PF-VB适用于以下领域和模块的示例包括：
- **电源管理：** 在电源管理系统中作为高功率开关元件，用于DC-DC转换器、AC-DC逆变器和电源供应单元。
- **电动工具：** 作为电动工具中电机驱动的开关，因为能够处理高电流和低导通电阻。
- **汽车电子：** 用于汽车电子系统中的电池管理、电动汽车的电机驱动和车辆动力控制。
- **工业设备：** 在工业自动化设备中的电流和电压控制，确保设备的稳定运行和高效能。
这些示例展示了AM40N04-30DE-T1-PF-VB在需要高电流、高功率和可靠性的各种应用中的潜在应用价值。
